г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXBH12N300 IXYS

Артикул
IXBH12N300
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 3000V 30A 160W TO247, IGBT - 3000 V 30 A 160 W Through Hole TO-247AD
Цена
5 629 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXBH12N300.jpg
TO-247AD
160 W
-
Standard
30 A
3000 V
1.4 µs
-
100 A
3.2V @ 15V, 12A
-
62 nC
TO-247-3
REACH Unaffected
623293
BIMOSFET™
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXBH12
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
30
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: DSS2X200-0008D
Бренд: IXYS
Описание: DIODE MODULE 8V 200A SOT227B, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 8 V 200A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
Подробнее
Артикул: BZX79-C5V6,113
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA BZX79-C5V6 - ZENER DIOD, Zener Diode 5.6 V 400 mW ±5% Through Hole ALF2
Подробнее
Артикул: IRFI620G
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3, N-Channel 200 V 4.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IRF1404L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 162A TO262, N-Channel 40 V 162A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: 2N5682
Бренд: Microchip Technology
Описание: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 10 µA - 1 W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Подробнее
Артикул: BC-848-B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее