г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXBH5N160G IXYS

Артикул
IXBH5N160G
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD, IGBT - 1600 V 5.7 A 68 W Through Hole TO-247AD
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXBH5N160G.jpg
TO-247-3
TO-247AD
68 W
960V, 3A, 47Ohm, 10V
Standard
5.7 A
1600 V
-
7.2V @ 15V, 3A
-
26 nC
REACH Unaffected
30
BIMOSFET™
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXBH5N160
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MPSA64
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 30V 500MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 30 V 500 mA 125MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: ES-U-3001-MB
Бренд: Connective Peripherals
Описание: USB TO 1-PORT , METAL, RACK MOUN,
Подробнее
Артикул: 2SA952-A
Бренд: Renesas
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: FGH40N6S2D
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 75A 290W TO247, IGBT - 600 V 75 A 290 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IRG4BH20K-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 11A 60W D2PAK, IGBT - 1200 V 11 A 60 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IXTK200N10L2
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 100V 200A TO264, N-Channel 100 V 200A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Подробнее