г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXBX50N360HV IXYS

Артикул
IXBX50N360HV
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS, IGBT - 3600 V 125 A 660 W Through Hole TO-247PLUS-HV
Цена
11 948 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXBX50N360HV.jpg
TO-247PLUS-HV
660 W
960V, 50A, 5Ohm, 15V
Standard
125 A
3600 V
1.7 µs
-
420 A
2.9V @ 15V, 50A
-
210 nC
TO-247-3 Variant
REACH Unaffected
BIMOSFET™
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXBX50
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
30
46ns/205ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRFBC42
Бренд: Harris
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 600 V 5.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRFS52N15DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK, N-Channel 150 V 51A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRGP4066D-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 140A TO247AD, IGBT Trench 600 V 140 A 454 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: BZX85C180
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 180V 1.3W DO-41, Zener Diode 180 V 1.3 W ±5% Through Hole DO-41G
Подробнее
Артикул: FDS8958A
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: MBR3045CTP
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V ITO220S, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45 V 15A Through Hole TO-220-3 Isolated Tab
Подробнее