г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXDN75N120 IXYS

Артикул
IXDN75N120
Бренд
IXYS
Описание
IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B, IGBT Module NPT Single 1200 V 150 A 660 W Chassis Mount SOT-227B
Цена
6 182 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
files/IXDN75N120.jpg
Single
SOT-227-4, miniBLOC
SOT-227B
660 W
150 A
1200 V
4 mA
Standard
NPT
2.7V @ 15V, 75A
5.5 nF @ 25 V
REACH Unaffected
10
-
Tube
Active
Chassis Mount
-40°C ~ 150°C (TJ)
IXDN75
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
No

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: ENGINEERING KIT-10
Бренд: APM Hexseal
Описание: #10 ENGINEERING KIT 2701,
Подробнее
Артикул: DSEP30-06B
Бренд: IXYS
Описание: DIODE GP 600V 30A ISOPLUS247, Diode Standard 600 V 30A Through Hole ISOPLUS247™ (BR)
Подробнее
Артикул: BLP15M9S30Z
Бренд: Ampleon
Описание: BLP15M9S30/SOT1482/REELDP, RF Mosfet
Подробнее
Артикул: MMSZ4681T1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD123, Zener Diode 2.4 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: FDD86113LZ
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK, N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 5.5A (Tc) 3.1W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: IRFB3507
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 97A TO220AB, N-Channel 75 V 97A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее