г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXER35N120D1 IXYS

Артикул
IXER35N120D1
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 1200V 50A 200W TO247, IGBT NPT 1200 V 50 A 200 W Through Hole ISOPLUS247™
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXER35N120D1.jpg
200 W
600V, 35A, 39Ohm, 15V
Standard
50 A
1200 V
80 ns
NPT
2.8V @ 15V, 35A
5.4mJ (on), 2.6mJ (off)
150 nC
ISOPLUS247™
TO-247-3
REACH Unaffected
-
Bulk
Obsolete
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
Not Applicable
EAR99
8541.29.0095
30
IXER35N120D1-NDR,Q1370333
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1175-6-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON5/1, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.500" (38.10mm) 1 1/2" -
Подробнее
Артикул: MMUN2132LT1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRLR3915PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK, N-Channel 55 V 30A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: GBI35A
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: 1PH BRIDGE 30X20X3.6 50V 35A, Bridge Rectifier Single Phase Standard 50 V Through Hole GBI
Подробнее
Артикул: STW18NK60Z
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3, N-Channel 600 V 16A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: NZT660A
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 60V 3A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 75MHz 2 W Surface Mount SOT-223-4
Подробнее