г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXFB132N50P3 IXYS

Артикул
IXFB132N50P3
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264, N-Channel 500 V 132A (Tc) 1890W (Tc) Through Hole PLUS264™
Цена
4 213 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXFB132N50P3.jpg
PLUS264™
MOSFET (Metal Oxide)
132A (Tc)
N-Channel
500 V
10V
39mOhm @ 66A, 10V
5V @ 8mA
250 nC @ 10 V
±30V
18600 pF @ 25 V
-
TO-264-3, TO-264AA
REACH Unaffected
HiPerFET™, Polar3™
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXFB132
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
25
1890W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1410-10-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL3/8 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Steel 1.250" (31.75mm) 1 1/4" -
Подробнее
Артикул: IRFB4215
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB, N-Channel 60 V 115A (Tc) 270W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 30265-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CIRCUIT BOARD SUPPORT, Board Support /
Подробнее
Артикул: STGP10NC60KD
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 20A 65W TO220, IGBT - 600 V 20 A 65 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: MMUN2115LT1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 400 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: FDP26N40
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 400V 26A TO220-3, N-Channel 400 V 26A (Tc) 265W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее