г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXFB60N80P IXYS

Артикул
IXFB60N80P
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264, N-Channel 800 V 60A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS264™
Цена
4 976 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXFB60N80P.jpg
PLUS264™
MOSFET (Metal Oxide)
60A (Tc)
N-Channel
800 V
10V
140mOhm @ 30A, 10V
5V @ 8mA
250 nC @ 10 V
±30V
18000 pF @ 25 V
-
TO-264-3, TO-264AA
REACH Unaffected
HiPerFET™, Polar
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXFB60
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
25
1250W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: GBU6G-E3/45
Бренд: VISHAY
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3.8A GBU, Bridge Rectifier Single Phase Standard 400 V Through Hole GBU
Подробнее
Артикул: MBRD835LG
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK, Diode Schottky 35 V 8A Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: 1500-10-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN ALUMINUM3/4 HEX, Hex Spacer Unthreaded - Aluminum 1.063" (27.00mm) 1 1/16" -
Подробнее
Артикул: 2N5428
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 80V 7A TO66, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 7 A 20MHz 40 W Through Hole TO-66
Подробнее
Артикул: SS26-E3/52T
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AA, Diode Schottky 60 V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Подробнее
Артикул: PDTC123JU,115
Бренд: Nexperia
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее