г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXFB62N80Q3 IXYS

Артикул
IXFB62N80Q3
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264, N-Channel 800 V 62A (Tc) 1560W (Tc) Through Hole PLUS264™
Цена
7 330 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXFB62N80Q3.jpg
PLUS264™
MOSFET (Metal Oxide)
62A (Tc)
N-Channel
800 V
10V
140mOhm @ 31A, 10V
6.5V @ 8mA
270 nC @ 10 V
±30V
13600 pF @ 25 V
-
TO-264-3, TO-264AA
REACH Unaffected
HiPerFET™, Q3 Class
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXFB62
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
25
1560W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: PS12018-A
Бренд: Powerex
Описание: MOD IPM 3PHASE IGBT 1200V 25A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 1.2 kV 25 A 36-PowerDIP Module (2.480", 63.00mm)
Подробнее
Артикул: 2N5116
Бренд: Central Semiconductor
Описание: JFET P-CH 30V 0.5W TO18, JFET P-Channel 30 V 500 mW Through Hole TO-18
Подробнее
Артикул: TIP42B
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 6 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: ZXTN2010ZTA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 60V 5A SOT89, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 5 A 130MHz 2.1 W Surface Mount SOT-89-3
Подробнее
Артикул: 2N6532
Бренд: Harris
Описание: NPN POWER TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A - 65 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1N4767A
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35, Zener Diode 9.1 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее