г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXFH20N80P IXYS

Артикул
IXFH20N80P
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD, N-Channel 800 V 20A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Цена
1 783 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXFH20N80P.jpg
TO-247AD (IXFH)
MOSFET (Metal Oxide)
20A (Tc)
N-Channel
800 V
10V
520mOhm @ 10A, 10V
5V @ 4mA
86 nC @ 10 V
±30V
4685 pF @ 25 V
-
TO-247-3
REACH Unaffected
HiPerFET™, Polar
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH20
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
30
500W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SZ3C120
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 120V 3W MELF, Zener Diode 120 V 3 W ±5% Surface Mount MELF DO-213AB
Подробнее
Артикул: CE3520K3-C1
Бренд: CEL
Описание: RF FET 4V 20GHZ 4MICROX, RF Mosfet pHEMT FET 2 V 10 mA 20GHz 13.8dB 125mW 4-Micro-X
Подробнее
Артикул: IRG7PH42U-EP
Бренд: International Rectifier
Описание: IGBT, IGBT Trench 1200 V 90 A 385 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: BSC010NE2LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON, N-Channel 25 V 39A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: RDN100N20
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN, N-Channel 200 V 10A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220FN
Подробнее
Артикул: SSC54-E3/9AT
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB, Diode Schottky 40 V 5A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Подробнее