г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXFH26N50P IXYS

Артикул
IXFH26N50P
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD, N-Channel 500 V 26A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Цена
1 374 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXFH26N50P.jpg
TO-247AD (IXFH)
MOSFET (Metal Oxide)
26A (Tc)
N-Channel
500 V
10V
230mOhm @ 13A, 10V
5.5V @ 4mA
60 nC @ 10 V
±30V
3600 pF @ 25 V
-
TO-247-3
REACH Unaffected
HiPerFET™, Polar
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH26
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
30
400W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: P25-1223
Бренд: Harwin
Описание: 2.54MM CENTER TWO PART PROBE, 3 A Concave Head -
Подробнее
Артикул: 40HF60
Бренд: Solid State
Описание: REC 40AMP 600V DO5, Diode Standard 600 V 40A Stud Mount DO-5
Подробнее
Артикул: FGH40N60UFTU
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT Field Stop 600 V 80 A 290 W Through Hole TO-247
Подробнее
Артикул: BDW84C
Бренд: Central Semiconductor
Описание: POWER TRANSISTOR PNP TO218, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 15 A - 130 W Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: 1N4007G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41, Diode Standard 1000 V 1A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: IRL2910STRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK, N-Channel 100 V 55A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее