г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXFH26N50P3 IXYS

Артикул
IXFH26N50P3
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD, N-Channel 500 V 26A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Цена
1 349 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXFH26N50P3.jpg
TO-247AD (IXFH)
MOSFET (Metal Oxide)
26A (Tc)
N-Channel
500 V
10V
230mOhm @ 13A, 10V
5V @ 4mA
42 nC @ 10 V
±30V
2220 pF @ 25 V
-
TO-247-3
REACH Unaffected
HiPerFET™, Polar3™
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXFH26
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
30
500W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BAS20LT1
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SWITCH 200MA 200V SOT23, Diode
Подробнее
Артикул: KSE350STU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126, Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA - 20 W Through Hole TO-126-3
Подробнее
Артикул: RFN20TF6S
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM, Diode Standard 600 V 20A Through Hole TO-220NFM
Подробнее
Артикул: GS1M-LTP
Бренд: Micro Commercial
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC, Diode Standard 1000 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: FCH041N60F
Бренд: onsemi
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7, N-Channel 600 V 76A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IPW60R099CP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3-1, N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее