г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXFH40N50Q2 IXYS

Артикул
IXFH40N50Q2
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 500V 40A TO247AD, N-Channel 500 V 40A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXFH40N50Q2.jpg
40A (Tc)
N-Channel
500 V
10V
160mOhm @ 500mA, 10V
4.5V @ 4mA
110 nC @ 10 V
±30V
4850 pF @ 25 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
TO-247AD (IXFH)
TO-247-3
HiPerFET™
Tube
Obsolete
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
30
REACH Unaffected
560W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRG4BC30U
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 23A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF5806TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6, P-Channel 20 V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: TIP30B
Бренд: Harris
Описание: SILICON POWER TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRG4PSC71KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 85A SUPER247, IGBT - 600 V 85 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: 2SA1859A
Бренд: Sanken
Описание: TRANS PNP 180V 2A TO220F, Bipolar (BJT) Transistor PNP 180 V 2 A 60MHz 20 W Through Hole TO-220F
Подробнее
Артикул: TO-5-060
Бренд: Bivar
Описание: SPACER TUBULAR GEN PURP 0.060", Component Spacer General Purpose - Axial, Radial Tubular 0.060" (1.52mm) Natural
Подробнее