г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXFK80N60P3 IXYS

Артикул
IXFK80N60P3
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 600V 80A TO264AA, N-Channel 600 V 80A (Tc) 1300W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Цена
3 133 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXFK80N60P3.jpg
TO-264AA (IXFK)
MOSFET (Metal Oxide)
80A (Tc)
N-Channel
600 V
10V
70mOhm @ 500mA, 10V
5V @ 8mA
190 nC @ 10 V
±30V
13100 pF @ 25 V
-
TO-264-3, TO-264AA
REACH Unaffected
HiPerFET™, Polar3™
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXFK80
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
25
1300W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N3820
Бренд: onsemi
Описание: JFET P-CH 20V 0.35W TO92, JFET P-Channel 20 V 350 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: BZX79-C8V2,133
Бренд: Nexperia
Описание: DIODE ZENER 8.2V 400MW ALF2, Zener Diode 8.2 V 400 mW ±5% Through Hole ALF2
Подробнее
Артикул: 1375-10-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS5/16 HEX X, Hex Spacer Unthreaded - Brass 1.000" (25.40mm) 1" -
Подробнее
Артикул: SFAF2004G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 200V 20A ITO220AC, Diode Standard 200 V 20A (DC) Through Hole ITO-220AC
Подробнее
Артикул: AUIRGP50B60PD1
Бренд: International Rectifier
Описание: IGBT, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N, IGBT NPT 600 V 75 A 390 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SDMK0340L-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD323, Diode Schottky 40 V 30mA (DC) Surface Mount SOD-323
Подробнее