г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXFN110N85X IXYS

Артикул
IXFN110N85X
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B, N-Channel 850 V 110A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Цена
10 966 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXFN110N85X.jpg
SOT-227B
MOSFET (Metal Oxide)
110A (Tc)
N-Channel
850 V
10V
33mOhm @ 55A, 10V
5.5V @ 8mA
425 nC @ 10 V
±30V
17000 pF @ 25 V
-
SOT-227-4, miniBLOC
REACH Unaffected
HiPerFET™, Ultra X
Tube
Active
Chassis Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXFN110
ROHS3 Compliant
Not Applicable
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
10
1170W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: A-66CS
Бренд: Century Spring
Описание: COMP O= .406,L= .41,W= .029,
Подробнее
Артикул: NTE190
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 180V 1A TO202N, Bipolar (BJT) Transistor NPN 180 V 1 A 35MHz 10 W Through Hole TO-202N
Подробнее
Артикул: FQPF4N90C
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F, N-Channel 900 V 4A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: 1N963B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 12V 500MW DO35, Zener Diode 12 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: MMBZ4681-HE3-18
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ZENER 2.4V 350MW SOT23-3, Zener Diode 2.4 V 350 mW ±5% Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: TIP36C
Бренд: Central Semiconductor
Описание: TRANS GENERAL PURPOSE TO-218, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole TO-218
Подробнее