г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXFN200N07 IXYS

Артикул
IXFN200N07
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B, N-Channel 70 V 200A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXFN200N07.jpg
SOT-227B
MOSFET (Metal Oxide)
200A (Tc)
N-Channel
70 V
10V
6mOhm @ 500mA, 10V
4V @ 8mA
480 nC @ 10 V
±20V
9000 pF @ 25 V
-
SOT-227-4, miniBLOC
REACH Unaffected
IXFN200N07-NDR
HiPerFET™
Tube
Not For New Designs
Chassis Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXFN200
ROHS3 Compliant
Not Applicable
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
10
520W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: NS-06-01
Бренд: Essentra Components
Описание: ROUND SPACER NYLON 25MM, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.984" (25.00mm) Natural
Подробнее
Артикул: ZTX605
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN DARL 120V 1A E-LINE, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 1 A 150MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Подробнее
Артикул: FDS4897C
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI, Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.2A, 4.4A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: FF2MR12KM1PHOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MEDIUM POWER 62MM, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 500A (Tc) - Chassis Mount AG-62MM
Подробнее
Артикул: D44H11
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 80V 10A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 10 A 50MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRG8P08N120KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 15A 89W TO-247AC, IGBT - 1200 V 15 A 89 W Through Hole TO-247AC
Подробнее