г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXFN200N07 IXYS

Артикул
IXFN200N07
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B, N-Channel 70 V 200A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXFN200N07.jpg
SOT-227B
MOSFET (Metal Oxide)
200A (Tc)
N-Channel
70 V
10V
6mOhm @ 500mA, 10V
4V @ 8mA
480 nC @ 10 V
±20V
9000 pF @ 25 V
-
SOT-227-4, miniBLOC
REACH Unaffected
IXFN200N07-NDR
HiPerFET™
Tube
Not For New Designs
Chassis Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXFN200
ROHS3 Compliant
Not Applicable
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
10
520W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1566-B-2-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN BRASS1/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.438" (11.13mm) 7/16" -
Подробнее
Артикул: IKB15N60T
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKB15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: 2N6672
Бренд: Microchip Technology
Описание: PNP TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BZX79-C5V6,133
Бренд: Nexperia
Описание: DIODE ZENER 5.6V 400MW ALF2, Zener Diode 5.6 V 400 mW ±5% Through Hole ALF2
Подробнее
Артикул: IRG4PH40KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 30A 160W TO247AC, IGBT - 1200 V 30 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: 1372-4-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON5/16, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.813" (20.65mm) 13/16" -
Подробнее