г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXFN360N10T IXYS

Артикул
IXFN360N10T
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B, N-Channel 100 V 360A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Цена
4 678 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXFN360N10T.jpg
SOT-227B
MOSFET (Metal Oxide)
360A (Tc)
N-Channel
100 V
10V
2.6mOhm @ 180A, 10V
4.5V @ 250µA
505 nC @ 10 V
±20V
36000 pF @ 25 V
-
SOT-227-4, miniBLOC
REACH Unaffected
HiPerFET™, Trench
Tube
Active
Chassis Mount
-55°C ~ 175°C (TJ)
IXFN360
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
10
830W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IHW40N60R
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: FEP30JP-E3/45
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO3P, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600 V 15A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
Подробнее
Артикул: FGH60N60SMD-F085
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 120A 600W TO247, IGBT Field Stop 600 V 120 A 600 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: MBRB2515L
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 15V 25A D2PAK, Diode Schottky 15 V 25A Surface Mount D?PAK
Подробнее
Артикул: FZ900R12KP4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 900A, IGBT Module - Single 1200 V 900 A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: MBR20200CT
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY 200V 10A TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200 V 10A Through Hole TO-220-3
Подробнее