г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXFN360N10T IXYS

Артикул
IXFN360N10T
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B, N-Channel 100 V 360A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Цена
4 678 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXFN360N10T.jpg
SOT-227B
MOSFET (Metal Oxide)
360A (Tc)
N-Channel
100 V
10V
2.6mOhm @ 180A, 10V
4.5V @ 250µA
505 nC @ 10 V
±20V
36000 pF @ 25 V
-
SOT-227-4, miniBLOC
REACH Unaffected
HiPerFET™, Trench
Tube
Active
Chassis Mount
-55°C ~ 175°C (TJ)
IXFN360
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
10
830W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: DSEP60-12AR
Бренд: IXYS
Описание: DIODE GP 1.2KV 60A ISOPLUS247, Diode Standard 1200 V 60A Through Hole ISOPLUS247™ (BR)
Подробнее
Артикул: EMD12T2R
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Подробнее
Артикул: GBPC3510W
Бренд: onsemi
Описание: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole GBPC-W
Подробнее
Артикул: 1203-10-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN ALUMINUM3/8 RD, Round Spacer Unthreaded - Aluminum 1.313" (33.35mm) 1 5/16" -
Подробнее
Артикул: TO-200-150H
Бренд: Bivar
Описание: SPACER GEN PURP, Component
Подробнее
Артикул: DMC206E20R
Бренд: Panasonic
Описание: TRANS 2NPN 20V 0.015A MINI6, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 15mA 650MHz 300mW Surface Mount Mini6-G4-B
Подробнее