г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXFN60N80P IXYS

Артикул
IXFN60N80P
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B, N-Channel 800 V 53A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Цена
6 890 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXFN60N80P.jpg
SOT-227B
MOSFET (Metal Oxide)
53A (Tc)
N-Channel
800 V
10V
140mOhm @ 30A, 10V
5V @ 8mA
250 nC @ 10 V
±30V
18000 pF @ 25 V
-
SOT-227-4, miniBLOC
REACH Unaffected
HiPerFET™, Polar
Tube
Active
Chassis Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXFN60
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
10
1040W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRF520N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB, N-Channel 100 V 9.7A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 1501-10-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.125" (28.58mm) 1 1/8" -
Подробнее
Артикул: 1471-38-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON5/8 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.188" (30.18mm) 1 3/16" -
Подробнее
Артикул: BYP60A6
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: DIODE STD D13X10.7W 600V 60A, Diode Standard 600 V 60A Through Hole DO-208
Подробнее
Артикул: EGP20G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 400V 2A DO15, Diode Standard 400 V 2A Through Hole DO-15
Подробнее
Артикул: GP02-40-E3/54
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 4KV 250MA DO204, Diode Standard 4000 V 250mA Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее