г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXFR36N60P IXYS

Артикул
IXFR36N60P
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247, N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Цена
2 568 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXFR36N60P.jpg
ISOPLUS247™
MOSFET (Metal Oxide)
20A (Tc)
N-Channel
600 V
10V
200mOhm @ 18A, 10V
5V @ 4mA
102 nC @ 10 V
±30V
5800 pF @ 25 V
-
TO-247-3
REACH Unaffected
HiPerFET™, Polar
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXFR36
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
30
208W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDS6690A
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC, N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: GBPC2508W
Бренд: GeneSiC Semiconductor
Описание: BRIDGE RECT 1P 800V 25A GBPC-W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Through Hole GBPC-W
Подробнее
Артикул: MMUN2232LT1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IRF741
Бренд: Harris
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 350 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: MJ10021
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- HIV SW DARL, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 250 V 60 A - 250 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 2N5666U3
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 5 A - 1.2 W Through Hole U-3 (TO-276AA)
Подробнее