г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXFX26N120P IXYS

Артикул
IXFX26N120P
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247-3, N-Channel 1200 V 26A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Цена
4 755 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXFX26N120P.jpg
PLUS247™-3
MOSFET (Metal Oxide)
26A (Tc)
N-Channel
1200 V
10V
500mOhm @ 13A, 10V
6.5V @ 1mA
225 nC @ 10 V
±30V
16000 pF @ 25 V
-
TO-247-3
REACH Unaffected
HiPerFET™, Polar
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXFX26
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
30
960W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MJ15016G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 120V 15A TO204, Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 15 A 18MHz 115 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: MUN5136T1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 202 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Подробнее
Артикул: 0563-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS5/8HD X, 3/8"-16 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: HERAF807G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 8A 800V IT0-220AC, Diode Standard 800 V 8A (DC) Through Hole ITO-220AC
Подробнее
Артикул: 2N6034
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP DARL 40V 4A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 40 V 4 A - 40 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: BZX84-B4V7,215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA BZX84-B4V7 - ZENER DIOD, Zener Diode 4.7 V 250 mW ±2% Surface Mount TO-236AB
Подробнее