г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXFX32N100P IXYS

Артикул
IXFX32N100P
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3, N-Channel 1000 V 32A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Цена
3 958 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXFX32N100P.jpg
PLUS247™-3
MOSFET (Metal Oxide)
32A (Tc)
N-Channel
1000 V
10V
320mOhm @ 16A, 10V
6.5V @ 1mA
225 nC @ 10 V
±30V
14200 pF @ 25 V
-
TO-247-3
REACH Unaffected
HiPerFET™, Polar
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXFX32
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
30
960W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FF200R12KS4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 275A 1400W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 275 A 1400 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: MJ11033
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 120V 50A TO3, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120 V 50 A - 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: BZX85C15
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 15V 1W DO204AL, Zener Diode 15 V 1 W ±6% Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: BUZ76A
Бренд: Harris
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 400 V 2.6A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: BC182A
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 50V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 100 mA 200MHz 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: MA46472-134
Бренд: MACOM
Описание: DIODE,VARACTOR,1.25 GAMMA GAAS,C, Varactors Single 22 V Surface Mount Chip
Подробнее