г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXFX66N85X IXYS

Артикул
IXFX66N85X
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 850V 66A PLUS247-3, N-Channel 850 V 66A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Цена
4 681 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXFX66N85X.jpg
PLUS247™-3
MOSFET (Metal Oxide)
66A (Tc)
N-Channel
850 V
10V
65mOhm @ 500mA, 10V
5.5V @ 8mA
230 nC @ 10 V
±30V
8900 pF @ 25 V
-
TO-247-3
REACH Unaffected
HiPerFET™, Ultra X
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXFX66
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
30
1250W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: DZ23C4V7-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ZENER ARRAY 4.7V SOT23-3, Zener Diode Array 1 Pair Common Cathode 4.7 V 300 mW ±5% SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 1N4473
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE ZENER, Zener Diode
Подробнее
Артикул: IRG4BC30WPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IG, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FDP075N15A-F102
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3, N-Channel 150 V 130A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: RB511SM-30FHT2R
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: RB511SM-30FH IS THE HIGH RELIABI, Diode Schottky 30 V 100mA Surface Mount EMD2
Подробнее
Артикул: VS-20ETF12S-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB, Diode Standard 1200 V 20A Surface Mount TO-263AB (D?PAK)
Подробнее