г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXGH10N100A IXYS

Артикул
IXGH10N100A
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 1000V 20A 100W TO247AD, IGBT - 1000 V 20 A 100 W Through Hole TO-247AD
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXGH10N100A.jpg
TO-247-3
TO-247AD
100 W
-
Standard
20 A
1000 V
-
4V @ 15V, 10A
-
REACH Unaffected
30
Warning Information
-
Tube
Active
Through Hole
-
IXGH10
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BC557B,112
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: 1490-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.438" (11.13mm) 7/16" -
Подробнее
Артикул: 1141-2-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS1/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 1.313" (33.35mm) 1 5/16" -
Подробнее
Артикул: IRF6795MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET, N-Channel 25 V 32A (Ta), 160A (Tc) 2.8W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Подробнее
Артикул: MJE13071
Бренд: Harris
Описание: MAX II POWER TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 6 V 5 A 80 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: A-33CS
Бренд: Century Spring
Описание: COMP O= .546,L= 1.38,W= .064,
Подробнее