г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXGH10N300 IXYS

Артикул
IXGH10N300
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 3000V 18A 100W TO247AD, IGBT - 3000 V 18 A 100 W Through Hole TO-247AD
Цена
8 657 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXGH10N300.jpg
100 W
-
Standard
18 A
3000 V
-
40 A
5.2V @ 15V, 30A
-
32 nC
TO-247AD
TO-247-3
-
Tube
Obsolete
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
30
REACH Unaffected
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SI4948BEY-T1-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.4A 1.4W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: VS-50SQ100TR
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO204AR, Diode Schottky 100 V 5A Through Hole DO-204AR
Подробнее
Артикул: MBRS190T3
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 90V 2A SMB, Diode Schottky 90 V 2A Surface Mount SMB
Подробнее
Артикул: ZVN0545A
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 450V 90MA TO92-3, N-Channel 450 V 90mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: MMUN2212LT1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: FGA4060ADF
Бренд: onsemi
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO3PN, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 238 W Through Hole TO-3PN
Подробнее