г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXGH30N60B2D1 IXYS

Артикул
IXGH30N60B2D1
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 600V 70A 190W TO247AD, IGBT PT 600 V 70 A 190 W Through Hole TO-247AD
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXGH30N60B2D1.jpg
190 W
400V, 24A, 5Ohm, 15V
Standard
70 A
600 V
25 ns
PT
150 A
1.8V @ 15V, 24A
320µJ (off)
66 nC
TO-247AD
TO-247-3
HiPerFAST™
Tube
Obsolete
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXGH30
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
30
REACH Unaffected
13ns/110ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: NDB4050
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 50V 15A D2PAK, N-Channel 50 V 15A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: LFUSCD04065A
Бренд: Littelfuse
Описание: DIODE SIC SCHOTTKY 650V 4A TO220, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 4A (DC) Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: MMBT3904VL
Бренд: Nexperia
Описание: MMBT3904/SOT23/TO-236AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: AON7264E
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание:

MOSFET N-CHANNEL 60V 28A 8DFN, N-Channel 60 V 28A (Tc) 27.5W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

Подробнее
Артикул: TN4033A
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 80V 1A TO-226, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A - 1 W Through Hole TO-226-3
Подробнее
Артикул: MBR16100
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 16A TO220, Diode Schottky 100 V 16A (DC) Through Hole TO-220AC
Подробнее