г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXGH32N170 IXYS

Артикул
IXGH32N170
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 1700V 75A 350W TO247AD, IGBT NPT 1700 V 75 A 350 W Through Hole TO-247AD
Цена
3 920 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXGH32N170.jpg
TO-247AD
350 W
1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V
Standard
75 A
1700 V
NPT
200 A
3.3V @ 15V, 32A
11mJ (off)
155 nC
TO-247-3
REACH Unaffected
30
-
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXGH32
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
45ns/270ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1220-6-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN ALUMINUM1/2 RD, Round Spacer Unthreaded - Aluminum 0.438" (11.13mm) 7/16" -
Подробнее
Артикул: UMG8NTR
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5
Подробнее
Артикул: 1SMA5931 R3G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 18V 1.5W DO214AC, Zener Diode 18 V 1.5 W ±5% Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: DDTC114EUA-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRFHM792TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2.3A 2.3W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Подробнее
Артикул: 614-3-MS
Бренд: J.W. Winco
Описание: BRASS PRESS-FIT BALL PLUNGER, Plunger, Press-Fit - -
Подробнее