г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXGH39N60BD1 IXYS

Артикул
IXGH39N60BD1
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 600V 76A 200W TO247AD, IGBT - 600 V 76 A 200 W Through Hole TO-247AD
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXGH39N60BD1.jpg
200 W
480V, 39A, 4.7Ohm, 15V
Standard
76 A
600 V
25 ns
-
152 A
1.7V @ 15V, 39A
4mJ (off)
110 nC
TO-247AD
TO-247-3
HiPerFAST™
Tube
Obsolete
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXGH39
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
30
REACH Unaffected
25ns/250ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N6075BG
Бренд: onsemi
Описание: 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, 60, TRIAC Logic - Sensitive Gate 600 V 4 A Through Hole TO-225-3
Подробнее
Артикул: 30385-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CIRCUIT BOARD SUPPORT, Board Support /
Подробнее
Артикул: 1N5249B
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 19 V 1W DO-35, Zener Diode 19 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 1516-B-3-B-12
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERCLEAR ZINC3/16, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.125" (3.18mm) 1/8" Clear
Подробнее
Артикул: BC33725
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 45V 0.8A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 800 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: FQA10N80
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P, N-Channel 800 V 9.8A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P
Подробнее