г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXGH40N60C2 IXYS

Артикул
IXGH40N60C2
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 600V 75A 300W TO247AD, IGBT PT 600 V 75 A 300 W Through Hole TO-247AD
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXGH40N60C2.jpg
300 W
400V, 30A, 3Ohm, 15V
Standard
75 A
600 V
PT
200 A
2.7V @ 15V, 30A
200µJ (off)
95 nC
TO-247AD
TO-247-3
REACH Unaffected
HiPerFAST™
Tube
Obsolete
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXGH40
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
30
18ns/90ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: NE5510279A-T1-A
Бренд: Renesas
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: FCD4N60TM
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK, N-Channel 600 V 3.9A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: SS1H10HE3_B/H
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA, Diode Schottky 100 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: NTS260SFT1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD123FL, Diode Schottky 60 V 2A Surface Mount SOD-123FL
Подробнее
Артикул: ULN2803ADWRG4
Бренд: Texas Instruments
Описание: TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOIC, Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA - - Surface Mount 18-SOIC
Подробнее
Артикул: ZXMN6A25K
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3, N-Channel 60 V 7A (Ta) 2.11W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Подробнее