г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXGK50N60B2D1 IXYS

Артикул
IXGK50N60B2D1
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 600V 75A 400W TO264, IGBT PT 600 V 75 A 400 W Through Hole TO-264 (IXGK)
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXGK50N60B2D1.jpg
TO-264 (IXGK)
400 W
480V, 40A, 5Ohm, 15V
Standard
75 A
600 V
35 ns
PT
200 A
2V @ 15V, 40A
550µJ (off)
140 nC
TO-264-3, TO-264AA
REACH Unaffected
HiPerFAST™
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXGK50
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
25
18ns/190ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N1186
Бренд: Microchip Technology
Описание: STANDARD RECTIFIER, Diode Standard, Reverse Polarity 200 V 35A Stud Mount DO-5
Подробнее
Артикул: 1124-6-SS
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACER SS 1/4", Round Spacer Unthreaded - Stainless Steel 0.250" (6.35mm) 1/4" -
Подробнее
Артикул: 2N2102
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 65 V 1 A - 1 W Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: 1SNA115661R2100
Бренд: TE Connectivity
Описание: M4/8.SFL,
Подробнее
Артикул: NZT7053
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 100V 1.5A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 1.5 A 200MHz 1 W Surface Mount SOT-223-4
Подробнее
Артикул: IPB160N04S4H1ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7, N-Channel 40 V 160A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Подробнее