IXGN120N60A3 IXYS

Артикул

IXGN120N60A3

Бренд

IXYS

Описание

IGBT MOD 600V 200A 595W SOT227B, IGBT Module PT Single 600 V 200 A 595 W Chassis Mount SOT-227B

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули

GenX3™

SOT-227-4, miniBLOC

SOT-227B

595 W

200 A

600 V

50 µA

Standard

1.35V @ 15V, 100A

14.8 nF @ 25 V

Single

REACH Unaffected

Tube

Obsolete

Chassis Mount

-55°C ~ 150°C (TJ)

IXGN120

ROHS3 Compliant

1 (Unlimited)

EAR99

8541.29.0095

Warning Information

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: DTC144EMT2L

Бренд: Rohm Semiconductor

Описание: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 30 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VMT3

Подробнее

Артикул: 1N4003GP

Бренд: onsemi

Описание: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41, Diode Standard 200 V 1A Through Hole DO-41

Подробнее

Артикул: GBPC2502W

Бренд: onsemi

Описание: BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 200 V Through Hole GBPC-W

Подробнее

Артикул: 1444-6-B

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS1/2 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Brass 1.438" (36.53mm) 1 7/16" -

Подробнее

Артикул: FDPF3N50NZ

Бренд: onsemi

Описание: MOSFET N-CH 500V 3A TO220F, N-Channel 500 V 3A (Tc) 27W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Подробнее

Артикул: IPW60R070P6

Бренд: Infineon Technologies

Описание: 600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,, N-Channel 600 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Подробнее

IXGN120N60A3 IXYS

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята