г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXGQ90N33TC IXYS

Артикул
IXGQ90N33TC
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 330V 90A 200W TO3P, IGBT Trench 330 V 90 A 200 W Through Hole TO-3P
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXGQ90N33TC.jpg
TO-3P
200 W
-
Standard
90 A
330 V
Trench
1.8V @ 15V, 45A
-
69 nC
TO-3P-3, SC-65-3
REACH Unaffected
-
Tube
Obsolete
Through Hole
-
IXGQ90
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
30
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: LS4148 L1G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 100V 450MA SOD80, Diode Standard 100 V 450mA Surface Mount SOD-80 QuadroMELF
Подробнее
Артикул: MBR735
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO220-2, Diode Schottky 35 V 7.5A Through Hole TO-220-2
Подробнее
Артикул: SP-27-SS
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 1-11/16" STAINLESS SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: BVSS84LT1G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3, P-Channel 50 V 130mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRFU110PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA, N-Channel 100 V 4.3A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
Подробнее
Артикул: STW35N60DM2
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 28A TO247, N-Channel 600 V 28A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее