г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXGR32N170H1 IXYS

Артикул
IXGR32N170H1
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 1700V 38A 200W ISOPLUS247, IGBT NPT 1700 V 38 A 200 W Through Hole ISOPLUS247™
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXGR32N170H1.jpg
200 W
1360V, 21A, 2.7Ohm, 15V
Standard
38 A
1700 V
230 ns
NPT
200 A
3.5V @ 15V, 21A
10.6mJ (off)
155 nC
ISOPLUS247™
TO-247-3
REACH Unaffected
-
Bulk
Obsolete
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXGR32
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
30
45ns/270ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MURP20040CT
Бренд: onsemi
Описание: DIODE MODULE 400V 100A POWERTAP2, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 400 V 100A Chassis Mount Powertap II
Подробнее
Артикул: AO4260
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 60V 18A 8SOIC, N-Channel 60 V 18A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: 2N3904
Бренд: MICROSS
Описание: DIE TRANS NPN SMALL SIGNAL 40V, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: AOD450
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 200V 3.8A TO252, N-Channel 200 V 3.8A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Подробнее
Артикул: 2N2222A
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 40V 0.6A TO-18, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 500 mW Through Hole TO-18
Подробнее
Артикул: SDT12S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 12A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее