г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXGT6N170 IXYS

Артикул
IXGT6N170
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 1700V 12A 75W TO268, IGBT NPT 1700 V 12 A 75 W Surface Mount TO-268AA
Цена
1 185 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXGT6N170.jpg
TO-268-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
TO-268AA
75 W
1360V, 6A, 33Ohm, 15V
Standard
12 A
1700 V
NPT
24 A
4V @ 15V, 6A
1.5mJ (off)
20 nC
REACH Unaffected
-IXGT6N170
-
Tube
Active
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXGT6
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
30
40ns/250ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STTH1602CFP
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220FP, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200 V 10A Through Hole TO-220-3 Full Pack
Подробнее
Артикул: BC847AW,115
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: NEXPERIA BC847AW - SMALL SIGNAL, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IXGH40N60C
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 600V 75A 250W TO247AD, IGBT - 600 V 75 A 250 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: 2N4852
Бренд: Central Semiconductor
Описание: THROUGH-HOLE UJT, Programmable Unijunction Transistor (UJT) - 300 mW TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Подробнее
Артикул: PDS360-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 3A POWERDI5, Diode Schottky 60 V 3A Surface Mount PowerDI™ 5
Подробнее
Артикул: STA403A
Бренд: Sanken
Описание: TRANS 4NPN DARL 100V 4A SIP, Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 100V 4A - 4W Through Hole 10-SIP
Подробнее