г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXGX120N60A3 IXYS

Артикул
IXGX120N60A3
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 600V 200A 780W PLUS247, IGBT PT 600 V 200 A 780 W Through Hole PLUS247™-3
Цена
3 317 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXGX120N60A3.jpg
TO-247-3
PLUS247™-3
780 W
480V, 100A, 1.5Ohm, 15V
Standard
200 A
600 V
PT
600 A
1.35V @ 15V, 100A
2.7mJ (on), 6.6mJ (off)
450 nC
REACH Unaffected
-IXGX120N60A3
GenX3™
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXGX120
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
30
39ns/295ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STC04IE170HP
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS ESBT 1700V 4A TO247-4LHP, Transistor Gate Driver NPN - Emitter Switched Bipolar 1700V (1.7kV) 4A Through Hole TO-247-4L
Подробнее
Артикул: LL103B-GS08
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA MINMELF, Diode Schottky 30 V 200mA Surface Mount SOD-80 MiniMELF
Подробнее
Артикул: IRLML2803TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23, N-Channel 30 V 1.2A (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: R2000G
Бренд: Rectron
Описание: DIODE GEN PURP 2000V 500MA DO41, Diode Standard 2000 V 500mA Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: MM5Z6V2T1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD523, Zener Diode 6.2 V 500 mW ±6.5% Surface Mount SOD-523
Подробнее
Артикул: 2SD2390
Бренд: Sanken
Описание: TRANS NPN DARL 150V 10A TO-3P, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 150 V 10 A 55MHz 100 W Through Hole TO-3P
Подробнее