г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXGX120N60B IXYS

Артикул
IXGX120N60B
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 600V 200A 660W TO247, IGBT PT 600 V 200 A 660 W Through Hole PLUS247™-3
Цена
2 274 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXGX120N60B.jpg
PLUS247™-3
660 W
480V, 100A, 2.4Ohm, 15V
Standard
200 A
600 V
PT
300 A
2.1V @ 15V, 120A
2.4mJ (on), 5.5mJ (off)
350 nC
TO-247-3
REACH Unaffected
HiPerFAST™
Bulk
Obsolete
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXGX120
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
30
Q2675300
60ns/200ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDS6670A
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC, N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: IPD160N04LG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: SARS01
Бренд: Sanken
Описание: DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL, Diode Standard 800 V 1.2A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 1432-12-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL1/2 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.688" (17.48mm) 11/16" -
Подробнее
Артикул: MMBT5551
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: ZXTN2010ZTA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 60V 5A SOT89, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 5 A 130MHz 2.1 W Surface Mount SOT-89-3
Подробнее