г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXGX50N60C2D1 IXYS

Артикул
IXGX50N60C2D1
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 600V 75A 480W TO247, IGBT PT 600 V 75 A 480 W Through Hole PLUS247™-3
Цена
1 376 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXGX50N60C2D1.jpg
480 W
480V, 40A, 2Ohm, 15V
Standard
75 A
600 V
35 ns
PT
300 A
2.5V @ 15V, 40A
380µJ (off)
138 nC
PLUS247™-3
TO-247-3
HiPerFAST™
Tube
Obsolete
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXGX50
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
30
REACH Unaffected
18ns/115ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MJ16018
Бренд: Solid State
Описание: TRANS NPN 750V 10A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 750 V 10 A - 175 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: IRFB5615PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB, N-Channel 150 V 35A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FCP104N60F
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3, N-Channel 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 0980-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS.363HD X, #10-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: BC846B215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: 0.1A, 65V, NPN, TO 236AB, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: PM75RL1A120
Бренд: Powerex
Описание: MOD IPM 7-PAC L1 75A 1200V, Power Driver Module IGBT 3 Phase 1.2 kV 75 A Power Module
Подробнее