г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXSH25N120A IXYS

Артикул
IXSH25N120A
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 1200V 50A 200W TO247AD, IGBT - 1200 V 50 A 200 W Through Hole TO-247AD
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXSH25N120A.jpg
200 W
960V, 25A, 18Ohm, 15V
Standard
50 A
1200 V
-
80 A
4V @ 15V, 25A
9.6mJ (off)
120 nC
TO-247AD
TO-247-3
-
Tube
Obsolete
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
30
REACH Unaffected
100ns/450ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MMBF5461
Бренд: onsemi
Описание: JFET P-CH 40V 0.225W SOT23-3, JFET P-Channel 40 V 225 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IXGF20N300
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 3000V 22A 100W I4-PAK, IGBT - 3000 V 22 A 100 W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Подробнее
Артикул: 1230-6-B-12
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERCLEAR ZINC1/2 RD X 1, Round Spacer Unthreaded - Brass 1.063" (27.00mm) 1 1/16" Clear
Подробнее
Артикул: IXFH50N60X
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 600V 50A TO247, N-Channel 600 V 50A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Подробнее
Артикул: IRF7321D2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 4.7A 8SO, P-Channel 30 V 4.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: NDP6020P
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2, P-Channel 20 V 24A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее