г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXSH30N60AU1 IXYS

Артикул
IXSH30N60AU1
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 600V 50A 200W TO247, IGBT - 600 V 50 A 200 W Through Hole TO-247AD
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXSH30N60AU1.jpg
200 W
480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Standard
50 A
600 V
50 ns
-
100 A
3V @ 15V, 30A
2.5mJ (off)
110 nC
TO-247AD
TO-247-3
-
Tube
Obsolete
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXSH30
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
30
REACH Unaffected
60ns/400ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BCX71H,235
Бренд: Nexperia
Описание: TRANS PNP 45V 100MA TO236AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: CE3512K2
Бренд: CEL
Описание: RF FET 4V 12GHZ 4MICROX, RF Mosfet pHEMT FET 2 V 10 mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X
Подробнее
Артикул: SD0603S040S0R2
Бренд: KYOCERA AVX
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA 0603, Diode Schottky 40 V 200mA (DC) Surface Mount 0603 (1608 Metric)
Подробнее
Артикул: NTPF082N65S3F
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 650V 40A TO220F, N-Channel 650 V 40A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: BD13916STU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 80V 1.5A TO126-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1.5 A - 1.25 W Through Hole TO-126-3
Подробнее
Артикул: IDH10G65C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 24A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 24A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Подробнее