г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXSH30N60AU1 IXYS

Артикул
IXSH30N60AU1
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 600V 50A 200W TO247, IGBT - 600 V 50 A 200 W Through Hole TO-247AD
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXSH30N60AU1.jpg
200 W
480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Standard
50 A
600 V
50 ns
-
100 A
3V @ 15V, 30A
2.5mJ (off)
110 nC
TO-247AD
TO-247-3
-
Tube
Obsolete
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXSH30
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
30
REACH Unaffected
60ns/400ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDP52N20
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3, N-Channel 200 V 52A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 0232-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS3/4HD X, 1/4"-20 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: IXTN400N15X4
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 150V 400A SOT227B, N-Channel 150 V 400A (Tc) 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Подробнее
Артикул: 1112-2-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: 3/16 RD X 7/16 X .090 ID, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.438" (11.11mm) -
Подробнее
Артикул: UF4007
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41, Diode Standard 1000 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: SVC383T-TL-E
Бренд: onsemi
Описание: DIODE VARACTOR 33V CPH3, Varactors 1 Pair Common Cathode 33 V Surface Mount 3-CPH
Подробнее