г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXTA200N075T IXYS

Артикул
IXTA200N075T
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 75V 200A TO263, N-Channel 75 V 200A (Tc) 430W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXTA200N075T.jpg
200A (Tc)
N-Channel
75 V
10V
5mOhm @ 25A, 10V
4V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 25 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
TO-263AA
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
TrenchMV™
Tube
Obsolete
Surface Mount
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
50
REACH Unaffected
430W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 185-ACS
Бренд: Century Spring
Описание: EXT O= .437,L= 1.50,W= .028,
Подробнее
Артикул: 2N2904A
Бренд: National Semiconductor
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: MS1006
Бренд: Microsemi
Описание: RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135, RF Transistor NPN 55V 3.25A 30MHz 127W Stud Mount M135
Подробнее
Артикул: MJE15035G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 350V 4A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 350 V 4 A 30MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IXXH110N65C4
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 650V 234A 880W TO247AD, IGBT PT 650 V 234 A 880 W Through Hole TO-247 (IXXH)
Подробнее
Артикул: STTH3010W
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 30A DO247, Diode Standard 1000 V 30A Through Hole DO-247
Подробнее