г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXTH110N10L2 IXYS

Артикул
IXTH110N10L2
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 100V 110A TO247, N-Channel 100 V 110A (Tc) 600W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Цена
3 405 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXTH110N10L2.jpg
TO-247 (IXTH)
MOSFET (Metal Oxide)
110A (Tc)
N-Channel
100 V
10V
18mOhm @ 500mA, 10V
4.5V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
10500 pF @ 25 V
-
TO-247-3
REACH Unaffected
624231,Q5291125,-IXTH110N10L2
Linear L2™
Bulk
Active
Through Hole
-
IXTH110
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
30
600W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BZX84C33
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 33V 250MW SOT23-3, Zener Diode 33 V 250 mW ±5% Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: BYP35K2
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: DIODE STD D13X10.7W 200V 35A, Diode Standard 200 V 35A Through Hole DO-208
Подробнее
Артикул: 1550-C-3-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN BRASS3/16, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее
Артикул: GBJ25J
Бренд: SURGE
Описание: 25A -600V - GBJ - BRIDGE, Bridge Rectifier Single Phase Standard 600 V Through Hole GBJ(5S)
Подробнее
Артикул: 2C6301
Бренд: Microchip Technology
Описание: TRANSISTOR POWER BJT, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: 1N5349BRLG
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 12V 5W AXIAL, Zener Diode 12 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее