г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXTH52N65X IXYS

Артикул
IXTH52N65X
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 650V 52A TO247, N-Channel 650 V 52A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Цена
1 870 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXTH52N65X.jpg
TO-247 (IXTH)
MOSFET (Metal Oxide)
52A (Tc)
N-Channel
650 V
10V
68mOhm @ 26A, 10V
5V @ 250µA
113 nC @ 10 V
±30V
4350 pF @ 25 V
-
TO-247-3
REACH Unaffected
Ultra X
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXTH52
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
30
660W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IPP90R340C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3, N-Channel 900 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: 1403-12-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/8 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.813" (20.65mm) 13/16" -
Подробнее
Артикул: BZX85C6V2
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 6.2V 1.3W DO-41, Zener Diode 6.2 V 1.3 W ±5% Through Hole DO-41G
Подробнее
Артикул: 1N5393
Бренд: EIC SEMICONDUCTOR
Описание: STD 1.5A, CASE TYPE: DO-41, Diode Standard 200 V 1.5A (DC) Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: DTA114YM3T5G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 260 mW Surface Mount SOT-723
Подробнее
Артикул: FF400R12KE3HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 580A 2000W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 580 A 2000 W Chassis Mount Module
Подробнее