г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXTN660N04T4 IXYS

Артикул
IXTN660N04T4
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B, N-Channel 40 V 660A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Цена
5 374 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXTN660N04T4.jpg
SOT-227B
MOSFET (Metal Oxide)
660A (Tc)
N-Channel
40 V
10V
0.85mOhm @ 100A, 10V
4V @ 250µA
860 nC @ 10 V
±15V
44000 pF @ 25 V
Current Sensing
SOT-227-4, miniBLOC
REACH Unaffected
Trench
Tube
Active
Chassis Mount
-55°C ~ 175°C (TJ)
IXTN660
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
10
1040W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRFS4227TRLPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IRFS4227 - 12V-300V N-CHANNEL PO, N-Channel 200 V 62A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFZ46NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB, N-Channel 55 V 53A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SI1308EDL-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323, N-Channel 30 V 1.4A (Tc) 400mW (Ta), 500mW (Tc) Surface Mount SC-70-3
Подробнее
Артикул: FJV4105RMTF
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: JT-104
Бренд: ECG
Описание: REPL TIPS FOR J-100,
Подробнее
Артикул: LXA06T600
Бренд: Power Integrations
Описание: DIODE GEN PURP 600V 6A TO220AC, Diode Standard 600 V 6A Through Hole TO-220AC
Подробнее