г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXTN660N04T4 IXYS

Артикул
IXTN660N04T4
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B, N-Channel 40 V 660A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Цена
5 374 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXTN660N04T4.jpg
SOT-227B
MOSFET (Metal Oxide)
660A (Tc)
N-Channel
40 V
10V
0.85mOhm @ 100A, 10V
4V @ 250µA
860 nC @ 10 V
±15V
44000 pF @ 25 V
Current Sensing
SOT-227-4, miniBLOC
REACH Unaffected
Trench
Tube
Active
Chassis Mount
-55°C ~ 175°C (TJ)
IXTN660
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
10
1040W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDP39N20
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3, N-Channel 200 V 39A (Tc) 251W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: W08G-E4/51
Бренд: VISHAY
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A WOG, Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Through Hole WOG
Подробнее
Артикул: 2021-256-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX STANDOFFPLAIN STEEL1/8 HEX X, Hex Standoff Threaded #2-56 Steel 0.188" (4.78mm) 3/16" -
Подробнее
Артикул: EGF1T-E3/67A
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA, Diode Standard 1300 V 1A Surface Mount DO-214BA (GF1)
Подробнее
Артикул: FQA9P25
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, P-Channel 250 V 10.5A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: IXGN120N60A3
Бренд: IXYS
Описание: IGBT MOD 600V 200A 595W SOT227B, IGBT Module PT Single 600 V 200 A 595 W Chassis Mount SOT-227B
Подробнее