г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXTQ200N085T IXYS

Артикул
IXTQ200N085T
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 85V 200A TO3P, N-Channel 85 V 200A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3P
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXTQ200N085T.jpg
200A (Tc)
N-Channel
85 V
10V
5mOhm @ 25A, 10V
4V @ 250µA
152 nC @ 10 V
±20V
7600 pF @ 25 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
TO-3P
TO-3P-3, SC-65-3
TrenchMV™
Tube
Obsolete
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
30
REACH Unaffected
480W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BCR141WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: STP100N6F7
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 60V 100A TO220, N-Channel 60 V 100A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IPW60R099C6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3, N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: 2N6372
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 6 A - 40 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Подробнее
Артикул: FGA25S125P-SN00337
Бренд: onsemi
Описание: IGBT TRENCH/FS 1250V 50A TO3PN, IGBT Trench Field Stop 1250 V 50 A 250 W Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: DK0081T
Бренд: American Technical Ceramics
Описание: CAP KIT CERAMIC 1PF-10PF 240PC, Ceramic Capacitor Kit 1pF ~ 10pF - Surface Mount, MLCC 240 Pieces (16 Values - 15 Each)
Подробнее