г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXTQ200N085T IXYS

Артикул
IXTQ200N085T
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 85V 200A TO3P, N-Channel 85 V 200A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3P
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXTQ200N085T.jpg
200A (Tc)
N-Channel
85 V
10V
5mOhm @ 25A, 10V
4V @ 250µA
152 nC @ 10 V
±20V
7600 pF @ 25 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
TO-3P
TO-3P-3, SC-65-3
TrenchMV™
Tube
Obsolete
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
30
REACH Unaffected
480W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STGFW40V60DF
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 62.5 W Through Hole TO-3PF-3
Подробнее
Артикул: SC-36-F
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 2-1/4" STEEL SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: 1N4148 TR
Бренд: Central Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35, Diode Standard 100 V 150mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: PN3563
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, RF Transistor NPN 15V 50mA 1.5GHz 350mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: IXBP5N160G
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB, IGBT - 1600 V 5.7 A 68 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: SBC846BWT1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 65V 100MA SC70-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 65 V 100 mA 100MHz 150 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Подробнее