г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXTQ36N30P IXYS

Артикул
IXTQ36N30P
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 300V 36A TO3P, N-Channel 300 V 36A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Цена
937 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXTQ36N30P.jpg
TO-3P
MOSFET (Metal Oxide)
36A (Tc)
N-Channel
300 V
10V
110mOhm @ 18A, 10V
5.5V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±30V
2250 pF @ 25 V
-
TO-3P-3, SC-65-3
REACH Unaffected
PolarHT™
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXTQ36
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
30
300W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N2907A
Бренд: MICROSS
Описание: DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP, Bipolar (BJT) Transistor - -
Подробнее
Артикул: AUIRF7342Q
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: NTE199
Бренд: NTE Electronics
Описание: NPN SI LOW NOISE HIGH GAIN TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 100 mA - 360 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: 1N5388BG
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 200V 5W AXIAL, Zener Diode 200 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: FF300R12KT3HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 480A 1450W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 480 A 1450 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: FDPF20N50
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 500V 20A TO220F, N-Channel 500 V 20A (Tc) 38.5W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее