г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXTQ69N30P IXYS

Артикул
IXTQ69N30P
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 300V 69A TO3P, N-Channel 300 V 69A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
Цена
1 933 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXTQ69N30P.jpg
TO-3P
MOSFET (Metal Oxide)
69A (Tc)
N-Channel
300 V
10V
49mOhm @ 500mA, 10V
5V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
4960 pF @ 25 V
-
TO-3P-3, SC-65-3
REACH Unaffected
Polar
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IXTQ69
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
30
500W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1181-10-PH
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - PHENOLIC, Round Spacer Unthreaded - Phenolic 1.875" (47.63mm) 1 7/8" -
Подробнее
Артикул: 1134-6-B-5
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNICKEL 1/4 RD X 7/8, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.875" (22.23mm) 7/8" -
Подробнее
Артикул: 2N2432
Бренд: Microchip Technology
Описание: TRANS NPN 30V 0.1A, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA - 300 mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
Подробнее
Артикул: IXGK50N60B2D1
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 600V 75A 400W TO264, IGBT PT 600 V 75 A 400 W Through Hole TO-264 (IXGK)
Подробнее
Артикул: MMSD103T1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD123, Diode Standard 250 V 200mA (DC) Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: P2N2907A
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 60V 0.6A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее