г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXTQ96N20P IXYS

Артикул
IXTQ96N20P
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 200V 96A TO3P, N-Channel 200 V 96A (Tc) 600W (Tc) Through Hole TO-3P
Цена
1 588 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXTQ96N20P.jpg
TO-3P
MOSFET (Metal Oxide)
96A (Tc)
N-Channel
200 V
10V
24mOhm @ 500mA, 10V
5V @ 250µA
145 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 25 V
-
TO-3P-3, SC-65-3
REACH Unaffected
Polar
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
IXTQ96
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
30
600W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRF530
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB, N-Channel 100 V 14A (Tc) 88W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: ESM4045DV
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN DARL 450V 42A ISOTOP, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 450 V 42 A - 150 W Chassis Mount ISOTOP®
Подробнее
Артикул: HSMS-2820-TR1G
Бренд: Broadcom Limited
Описание: RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT23-3, RF Diode Schottky - Single 15V 1 A SOT-23-3
Подробнее
Артикул: MJ10007
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- PO DARL SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 400 V 10 A - 150 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: IRGP4063-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 96A 330W TO247AD, IGBT Trench 600 V 96 A 330 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: 1183-4-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON5/1, Round Spacer Unthreaded - Nylon 2.000" (50.80mm) 2" -
Подробнее