г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXTV200N10T IXYS

Артикул
IXTV200N10T
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220, N-Channel 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole PLUS220
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXTV200N10T.jpg
200A (Tc)
N-Channel
100 V
10V
5.5mOhm @ 50A, 10V
4.5V @ 250µA
152 nC @ 10 V
±30V
9400 pF @ 25 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
PLUS220
TO-220-3, Short Tab
TrenchMV™
Tube
Obsolete
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
50
REACH Unaffected
550W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1552-A-3-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN STEEL3/16, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.500" (12.70mm) 1/2" -
Подробнее
Артикул: 15CTQ045
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: 15A, 45V, TO-220AB, SCHOTTKY REC, Diode Array
Подробнее
Артикул: 1397-6-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS3/8 HEX X 7, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.438" (11.13mm) 7/16" -
Подробнее
Артикул: HGT1S12N60A4DS
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 54A 167W D2PAK, IGBT - 600 V 54 A 167 W Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: MPSA63
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP DARLINGTON AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 30 V 1.2 A 125MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: BLF7G24LS-100,112
Бренд: Ampleon
Описание: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B, RF Mosfet LDMOS 28 V 900 mA 2.3GHz ~ 2.4GHz 18dB 20W SOT502B
Подробнее