г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXTV200N10T IXYS

Артикул
IXTV200N10T
Бренд
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220, N-Channel 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole PLUS220
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IXTV200N10T.jpg
200A (Tc)
N-Channel
100 V
10V
5.5mOhm @ 50A, 10V
4.5V @ 250µA
152 nC @ 10 V
±30V
9400 pF @ 25 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
PLUS220
TO-220-3, Short Tab
TrenchMV™
Tube
Obsolete
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
50
REACH Unaffected
550W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 0444-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS3/8 HD X, #10-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: I-45CS
Бренд: Century Spring
Описание: COMP O= .296,L= .75,W= .045,
Подробнее
Артикул: PS21564-P
Бренд: Powerex
Описание: MOD IPM 600V 15A MINI DIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 15 A 35-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm)
Подробнее
Артикул: 2SD2016
Бренд: Sanken
Описание: TRANS NPN DARL 200V 3A TO220F, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 200 V 3 A 90MHz 25 W Through Hole TO-220F
Подробнее
Артикул: IRG4PC20UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 13A 60W TO247AC, IGBT - 600 V 13 A 60 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPD60R1K4C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3, N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее