г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXXH50N60C3 IXYS

Артикул
IXXH50N60C3
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 600V 100A 600W TO247AD, IGBT PT 600 V 100 A 600 W Through Hole TO-247 (IXXH)
Цена
1 350 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXXH50N60C3.jpg
TO-247 (IXXH)
600 W
360V, 36A, 5Ohm, 15V
Standard
100 A
600 V
PT
200 A
2.3V @ 15V, 36A
720µJ (on), 330µJ (off)
64 nC
TO-247-3
REACH Unaffected
30
GenX3™, XPT™
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
IXXH50
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
24ns/62ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N5343B
Бренд: EIC SEMICONDUCTOR
Описание: DIODE ZENER 7.5V 5W DO15, Zener Diode 7.5 V 5 W ±5% Through Hole DO-15
Подробнее
Артикул: 1433-25-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS1/2 HEX X 3, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.750" (19.05mm) 3/4" -
Подробнее
Артикул: DMN601K-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3, N-Channel 60 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: CSD19531Q5AT
Бренд: Texas Instruments
Описание: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON, N-Channel 100 V 100A (Ta) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Подробнее
Артикул: MRF9060LR1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 65V 945MHZ NI-360, RF Mosfet LDMOS 26 V 450 mA 945MHz 17dB 60W NI-360
Подробнее
Артикул: IRFR4105Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK, N-Channel 55 V 30A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее