г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXXH50N60C3D1 IXYS

Артикул
IXXH50N60C3D1
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 600V 100A 600W TO247AD, IGBT PT 600 V 100 A 600 W Through Hole TO-247 (IXXH)
Цена
2 158 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXXH50N60C3D1.jpg
TO-247 (IXXH)
600 W
360V, 36A, 5Ohm, 15V
Standard
100 A
600 V
25 ns
PT
200 A
2.3V @ 15V, 36A
720µJ (on), 330µJ (off)
64 nC
TO-247-3
REACH Unaffected
625659
GenX3™, XPT™
Tube
Active
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
IXXH50
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
30
24ns/62ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 0911-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STEEL.261HD X, #6-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее
Артикул: KITSQ1100LF
Бренд: KYOCERA AVX
Описание: CAP KIT CERAMIC 1PF-10PF 240PCS, Ceramic Capacitor Kit 1pF ~ 10pF 500V Surface Mount, MLCC 240 Pieces (16 Values - 15 Each)
Подробнее
Артикул: IRLI640G
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3, N-Channel 200 V 9.9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: NJW21193G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 250V 16A TO-3P, Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 16 A 4MHz 200 W Through Hole TO-3P-3L
Подробнее
Артикул: A2T26H160-24SR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: RF MOSFET LDMOS DL 28V NI780S, RF Mosfet LDMOS (Dual) 28 V 350 mA 2.58GHz 15.5dB 28W NI-780S-4L2L
Подробнее
Артикул: MMSZ5226B-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123, Zener Diode 3.3 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
Подробнее