г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IXXH75N60B3D1 IXYS

Артикул
IXXH75N60B3D1
Бренд
IXYS
Описание
IGBT 600V 160A 750W TO247, IGBT PT 600 V 160 A 750 W Through Hole TO-247 (IXXH)
Цена
2 261 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IXXH75N60B3D1.jpg
TO-247 (IXXH)
750 W
400V, 60A, 5Ohm, 15V
Standard
160 A
600 V
25 ns
PT
300 A
1.85V @ 15V, 60A
1.7mJ (on), 1.5mJ (off)
107 nC
TO-247-3
REACH Unaffected
GenX3™, XPT™
Tube
Active
Through Hole
-
IXXH75
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
Warning Information
30
35ns/118ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BAS21-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23, Diode Standard 200 V 200mA Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: NBLC75BVZ17
Бренд: Neutrik
Описание: NBLC75BVZ17,
Подробнее
Артикул: SCT30N120H
Бренд: STMicroelectronics
Описание: SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2, N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Подробнее
Артикул: VS-FC270SA20
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 200V 287A SOT227, N-Channel 200 V 287A (Tc) 937W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Подробнее
Артикул: MOUTING BRACKET
Бренд: Panasonic
Описание: MOUNTING BRACKET ANE8870,
Подробнее
Артикул: 1N5617
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL, Diode Standard 400 V 1A Through Hole
Подробнее